第8章分立元件放大电路

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1、 （中）（中） 对于元器件，对于元器件，重点重点放在特性、参数、技术指放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。讨论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值

2、。标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、器件是非线性的、特性有分散性、RC的值的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。算的方法。物物 质质（导电能力）（导电能力）导体：导体：绝缘体：绝缘体：半导体：半导体：导电能力很强导电能力很强不导电不导电导电能力介于导体和导电能力介于导体和绝缘体之间绝缘体之间半导体的特性：半导体的特性： ( (可制成温度敏感元件，如热敏电阻可制成温度敏感元件，如热敏电阻) )掺杂性：掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 其导电能力明显改变。其导电能力明显改

3、变。光敏性：光敏性：当受到光照时，其导电能力明显变化。当受到光照时，其导电能力明显变化。 ( (可制成各种光敏元件，如光敏电阻、可制成各种光敏元件，如光敏电阻、 光敏二极管、光敏三极管、光电池等光敏二极管、光敏三极管、光电池等) )。热敏性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。当环境温度升高时，导电能力显著增强。1. 本征半导体本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。本征半导体。硅和锗的晶体结构硅和锗的晶体结构7.1.1 PN结结硅和锗的共价键结构硅和锗的共价键结构共价键共共价键共用电子对用电子对 共价键中的共价键中的两个电子

4、被紧紧两个电子被紧紧束缚在共价键中，束缚在共价键中，称为称为束缚电子。束缚电子。+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束缚电子 在常温下，由于在常温下，由于热激发，使一些价电热激发，使一些价电子获得足够的能量而子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，脱离共价键的束缚，成为成为自由电子自由电子（带负（带负电），同时共价键上电），同时共价键上留下一个空位，称为留下一个空位，称为空穴空穴（带正电）（带正电）。 本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。这一现象称为本征激发。本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理 在其它力的作用在其它力的作用下，空穴吸引临近

5、的下，空穴吸引临近的电子来填补，其结果电子来填补，其结果相当于空穴的迁移。相当于空穴的迁移。 空穴的迁移相当于空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流可以认为空穴是载流子。子。 因常温下束缚因常温下束缚电子很难脱离共价电子很难脱离共价键成为自由电子，键成为自由电子，因此本征半导体中因此本征半导体中的自由电子和空穴的自由电子和空穴很少，所以很少，所以本征半本征半导体的导电能力很导体的导电能力很弱。弱。 当半导体外加电压当半导体外加电压时，在电场的作用下时，在电场的作用下将出现两部分电流：将出现两部分电流： 1）自由电子作定）自由电子作定向移动向移动 电子电流电子电流

6、 2）价电子递补空）价电子递补空穴穴 空穴电流空穴电流+4+4+4+4本征半导体中存在本征半导体中存在数量相等数量相等的两种载流的两种载流子，即子，即自由电子和空穴自由电子和空穴。 温度越高，载流子的浓度越高温度越高，载流子的浓度越高，本征半本征半导体的导电能力越强。导体的导电能力越强。温度是影响半导体性温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，能的一个重要的外部因素，这是半导体的一这是半导体的一大特点。大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。浓度。P 型半导体型半导体+N 型半导体型半导体 1. 在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与

7、（a. 掺杂浓度、掺杂浓度、b.温度）有关。温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、掺杂浓度、b.温度）有关。温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、减少、b. 不变、不变、c. 增多）。增多）。abc 4. 在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流型半导体中的电流主要是主要是 ， N 型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是 （a. 电子电流、电子电流、b.空穴电流）空穴电流） ba3. PN结的形成结的形成多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场E少子的漂移运动少子的漂移

8、运动浓度浓度差差P 型半导体型半导体+N 型半导体型半导体空间电荷区空间电荷区空间电荷区也称空间电荷区也称 PN 结结 4 4、 PN结的导电特性结的导电特性PN 结加正向电压（正向偏置）结加正向电压（正向偏置） P接正、接正、N接负接负 +U内电场内电场外电场外电场PNIF 内电场被削弱，多内电场被削弱，多子的扩散加强，形成子的扩散加强，形成较大的扩散电流。较大的扩散电流。 PN结正向电阻较结正向电阻较小，正向电流较大，小，正向电流较大，PN结处于导通状态。结处于导通状态。PN 结加反向电压（反向偏置）结加反向电压（反向偏置）+U内电场内电场外电场外电场PN 内电场被加强，少子内电场被加强，

9、少子的漂移加强，由于少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的数量很少，形成很小的反向电流。反向电流。IRPN 结变宽结变宽 P接负、接负、N接正接正 PN结反向电阻较结反向电阻较大，反向电流很小，大，反向电流很小，PN结处于截止状态。结处于截止状态。温度越高少子的数量越多，反向电流将随温度增加温度越高少子的数量越多，反向电流将随温度增加1、PN 结加正向电压（正向偏置，结加正向电压（正向偏置，P 接正、接正、N 接负接负 ）时，）时， PN 结处于正向导通状态，结处于正向导通状态，PN 结正向电阻较小，正向电流较大。结正向电阻较小，正向电流较大。2、PN 结加反向电压（反向偏置，结加反向电

10、压（反向偏置，P接负、接负、N 接正接正 ）时，）时， PN 结处于反向截止状态，结处于反向截止状态，PN 结反向电阻较大，反向电流很小。结反向电阻较大，反向电流很小。1、基本结构和类型、基本结构和类型（a）点接触型）点接触型结构结构 ：按结构可分三类按结构可分三类(b)面接触型面接触型 结面积小、结面积小、结电容小、正结电容小、正向电流小。用向电流小。用于检波和变频于检波和变频等高频电路。等高频电路。 结面积大、结面积大、正向电流大、正向电流大、结电容大，用结电容大，用于工频大电流于工频大电流整流电路。整流电路。(c)平面型平面型 用于集成电路制作工艺中。用于集成电路制作工艺中。PN结结面积

11、可大可结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。小，用于高频整流和开关电路中。二极管的结构示意图二极管的结构示意图符号：符号：PN阳极阳极阴极阴极VD2、 伏安特性伏安特性 3、主要参数、主要参数1 1、最大整流电流、最大整流电流 IOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。均电流。2 2、3 3、指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向反向电流大，说明管子的单向导电性差，电流大，说明管子的单向导电性差， 受温度的影响，受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，温度越高反向电流