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模拟电路基础- 20190908 第三次课.ppt

上传者:华子 2022-07-14 17:53:11上传 PPT文件 1.34 MB
模拟电路基础- 20190908 第三次课
2022/5/24
导体或半导体的导电作用是通过带电粒子的运动(形成电流)来实现的,这种电流的载体称为载流子。导体中的载流子是自由电子,半导体中的载流子则是带负电的电子和带正电的空穴。
关键名词:
本征半导体、杂质半导体、施主杂质、受主杂质
自由电子、空穴、N型半导体、P型半导体
多数载流子、少数载流子、漂移电流、扩散电流
内容回顾
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1.3 晶体二极管及其应用
在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管。
图1.11 二极管的结构和电路符号
二极管按结构分为三大类:
点接触型、面接触型和平面型
二极管分类方式:
按材料、按用途、按功率、按频率
二极管结构示意图
(a)点接触型
PN结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。
(b)面接触型
PN结面积大,结电容大,一般仅用于低频大电流整流电路。
(c)平面型
往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小,用于高频整流和开关电路中。
2. 反偏伏安特性方程:
1.3.1 晶体二极管伏安特性
→流过二极管中的电流 iD 与其端电压vD之间的关系:
1. 正偏伏安特性方程:
VT=kT/q(热电压)
当T=300K时,VT=26mV
IS→反向饱和电流
二极管V-I特性
VON-导通电压;门限电压或死区电压。Si:0.5V ;Ge:0.2V
3. 反向击穿特性
当加在二极管上的反偏电压超过某一数值VBR时,反偏电流将急剧增大,这种现象称为二极管的反向击穿。
导致反向击穿的原因:
雪崩击穿→ 价电子被碰撞电离
齐纳击穿→ 价电子被场致激发
图1.13 二极管的反向击穿特性
4. 温度对二极管伏安特性的影响
反偏时,温度升高,曲线下移。每升温10℃,IS增大一倍
注:当温度太高,少子浓度与多子浓度相当时,PN结不存在,失去单向导电性。 ??
正偏时,温度升高,曲线左移。每升温1℃,左移2-2.5mV
最大平均整流电流IF
最高反向工作电压VR

反向电流IR
最高工作频率fmax
二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。
所允许加的最大反向电压;超过此值二极管就有发生反向击穿的危险。通常取反向击穿电压VBR的一半。
二极管未击穿时的反向电流值。此值越小,二极管的单向导电性越好。此值与温度有密切关系。
主要由PN结的结电容大小决定,超过此值,二极管的单向导电性将不能很好地体现。
3. 二极管的其它主要参数

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文档来源:https://www.taodocs.com/p-694153681.html

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