第8章 MOS场效应器件性能与设计(1) 半导体器件原理南京大学Chapter 8. CMOS 器件设计与性能参数一 CMOS 器件设计1.1 MOSFET的等比例缩小 光刻技术：短沟道导致密度速度和功率的改进离子注入：浅或陡峭的掺杂界面或低 2022年06月10日 0 点赞 39 浏览
