微影制程简介

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1、投板酸洗水洗微蝕微蝕水洗酸洗水洗烘干送壓膜每段作用每段作用n投板 input 2片檢測系統n酸洗acid water rinse 清潔,去脂n水洗water rinse 防止藥水污染n微蝕微蝕 microetching 粗化粗化n酸洗acid water rinse 去除氧化層n水洗water rinse 防止藥水污染n烘乾dry (80度) 乾燥板面粗化后銅表面粗化后銅表面品質判定品質判定:水破試驗水破試驗（Water Break） 測試前處理後板面清潔的程度。通常板子從水中拿起，直立時可保持完整的水膜約30sec以上. 不破；平放時可維持1030sec不破。為一種粗略的試驗。但對於測試板面

2、清潔的程度是一種很重要的措施.5.1擇取測試裸板三片(長15cm、寬10cm、雙面)。 5.2使用#600砂紙將板邊四周之銅屑磨平，以避免掉屑造成 量測上之誤差。5.3烘乾(120、30min), 置乾燥器冷卻至室溫, 秤重並記錄A (g)。5.4將測試板依正常流程微蝕處理。5.5烘乾(120、30min) , 置乾燥器冷卻至室溫, 秤重並記錄B(g)。5.6計算E.A.(Etching Amount)值。 5.1擇取測試裸板三片(長15cm、寬10cm、雙面)。 設備能力檢核設備能力檢核 A：微蝕前烘乾後重g 8.932：銅的比重g/cm3 B：微蝕後烘乾後重g 2.54*10-6：單位換算

3、in/cm 2：一片基板有雙面 15*10：基板尺寸 cm2 61054. 2932. 810152BA計算公式計算公式:預熱壓膜前整列壓膜翻板冷卻送曝光120度&4kg/cm2 壓膜品質判定壓膜品質判定壓膜品質 發生原因1.壓膜氣泡 A.滾輪破洞 B.板面水氣2.壓膜膜皺 A.乾膜上異常 B.滾輪異常3.壓膜掉膜 A.壓條溫度異常 B.壓條不潔4.壓膜銅屑 A.粘塵不乾淨. B.前處理烘乾段過髒基板設定底片清潔底片設定底片設定底片及底片框清潔曝光撕Mylar送DES2.PE值PCB對底片CCD連線中心距離之差異(P-A)/2+機台對位誤差： 40um3.ME值(底片CCD變化量)：5

4、0um4.JE值(PCB與底片CCD單孔中心偏移量)：7um P A曝光對位曝光對位顯影水洗蝕刻水洗去膜水洗酸洗水洗烘干送AOI显影水溶性干膜的显影液为l一2的无水碳酸钠溶液，液温3040。 显影机理是感光膜中未曝光部分的活性基团与稀碱溶液反应生成可溶性物质而溶解下 来，显影时活性基团羧基一COOH与无水碳酸钠溶液中的Na+作用，生成亲水性集团一 COONa。从而把未曝光的部分溶解下来，而曝光部分的干膜不被溶胀。显影操作一般在显影机中进行，控制好显影液的温度，传送速度，喷淋压力等显影参数，能够得到好的显影效果。 DES線顯影段的原理線顯影段的原理正确的显影时间通过显出点(没有曝光的干膜从印制板